| Модуль памяти для компьютера DDR3 4GB 1600 MHz eXceleram |  +увеличить | Код: 03046004 | | 373,80 грн. |
| Модуль памяти для компьютера DDR3 4GB 1600 MHz eXceleram (E30144A) DDR3, 4 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 1600 МГц, Тайминги - CL11, Напряжение питания - 1.5 В | | |
| Гарантия 120 мес. | Есть на складе | |
|
|
|
|
Производитель | eXceleram
| Модель | DDR3 4GB 1600 MHz
| Артикул | E30144A
| Тип памяти | DDR3
| Объем памяти | 4 ГБ
| Количество модулей в наборе | 1
| Частота памяти | 1600 МГц
| Стандарты памяти | PC3-12800
| Тайминги | CL11
| Напряжение питания | 1.5 В
| Охлаждение | нет
| Форм-фактор памяти | 240-pin DIMM
| Проверка и коррекция ошибок (ECC) | нет
| Буферизация | unbuffered
| Гарантия | 120 месяцев
| (Сборка) Потребляемая мощность | 6 Вт
| Примечание | Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, в упаковке без оформления, гарантирующей только их безопасную транспортировку.
| Страна производства | Тайвань
| Гарантия, мес | 120
|
Память Exceleram DDR3 4GB 1600 MHz (E30144A) поможет ускорить обмен данными на компьютере. Оперативная память незаменима для выполнения различных задач, таких как: работа с объемными текстами, таблицами, графиками; архивирование, шифрование, работа с базами данных; компьютерные игры, а также многие другие задачи.
DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Преимущества по сравнению с DDR2: - более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/ с), - сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания), - меньшее энергопотребление и улучшенное энергосбережение.
Модули памяти Exceleram DDR3 4GB 1600 MHz (E30144A) созданы на базе новейшего поколения технологии DDR. Как и все модули памяти компании Hynix, модули памяти DDR3 спроектированы и созданы таким образом, чтобы полностью соответствовать всем требованиям энтузиастов в области разгона ПК. Модули памяти DDR3 обеспечивают более высокую скорость, более низкое время задержки, более высокую пропускную способность и уменьшенное энергопотребление по сравнению с модулями памяти DDR2. |
|